電容器主要參數(shù)、基本公式以及參數(shù)計算
2018/11/26 8:05:33??????點擊：
電容器的主要參數(shù)有標稱電容量和容差、額定電壓、絕緣電阻、損耗率，這些參數(shù)主要由電容器中的電介質(zhì)決定。電容器產(chǎn)品標出的電容量值。
云母和陶瓷介質(zhì)電容器的電容量較低(大約在5000pF以下);紙、塑料和一些陶瓷介質(zhì)形式的電容器居中(大約在0.005μF ~1.0μF);通常電解電容器的容量較大。
電容器主要參數(shù)
1、標稱電容量和容差
標稱電容量是標在電容器上的電容量。
電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱容差。某一個電容器上標有220nJ，表示這個電容器的標稱電容量為220nF，實際電容量應(yīng)220nF±5%之內(nèi)，此處J表示容量誤差為±5%。若J改為K，表示誤差為±10%;改為M表示誤差為±20%。
2、額定電壓
在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞。
3、絕緣電阻
理想的電容器，在其上加有直流電壓時，應(yīng)沒有電流流過電容器，而實際上存在有微小的漏電流。直流電壓除以漏電流的值，即為電容器的絕緣電阻。其典型值為100 MΩ到10000MΩ。現(xiàn)在CL11、CBB22等塑料薄膜電容器的絕緣電阻值可達到5000MΩ以上。電容器的絕緣電阻是一個不穩(wěn)定的電氣參數(shù)，它會隨著溫度、濕度、時間的變化而變化。絕緣電阻越大越好。
4、損耗率
電容器的損耗率是電容器一周期內(nèi)轉(zhuǎn)化成熱能的能量與它的平均儲能的比率，通常用百分數(shù)表示。電容器轉(zhuǎn)化成熱能的能量主要由介質(zhì)損耗的能量和電容所有的電阻所引起的能量損耗，在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏電阻損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏電阻有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。有些電容器如電解電容在交流信號下工作損耗隨頻率迅速增加，只能在直流或低頻工作。
5、頻率特性
隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。
電容器參數(shù)的基本公式
云母和陶瓷介質(zhì)電容器的電容量較低(大約在5000pF以下);紙、塑料和一些陶瓷介質(zhì)形式的電容器居中(大約在0.005μF ~1.0μF);通常電解電容器的容量較大。
電容器主要參數(shù)
1、標稱電容量和容差
標稱電容量是標在電容器上的電容量。
電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱容差。某一個電容器上標有220nJ，表示這個電容器的標稱電容量為220nF，實際電容量應(yīng)220nF±5%之內(nèi)，此處J表示容量誤差為±5%。若J改為K，表示誤差為±10%;改為M表示誤差為±20%。
2、額定電壓
在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞。
3、絕緣電阻
理想的電容器，在其上加有直流電壓時，應(yīng)沒有電流流過電容器，而實際上存在有微小的漏電流。直流電壓除以漏電流的值，即為電容器的絕緣電阻。其典型值為100 MΩ到10000MΩ。現(xiàn)在CL11、CBB22等塑料薄膜電容器的絕緣電阻值可達到5000MΩ以上。電容器的絕緣電阻是一個不穩(wěn)定的電氣參數(shù)，它會隨著溫度、濕度、時間的變化而變化。絕緣電阻越大越好。
4、損耗率
電容器的損耗率是電容器一周期內(nèi)轉(zhuǎn)化成熱能的能量與它的平均儲能的比率，通常用百分數(shù)表示。電容器轉(zhuǎn)化成熱能的能量主要由介質(zhì)損耗的能量和電容所有的電阻所引起的能量損耗，在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏電阻損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏電阻有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。有些電容器如電解電容在交流信號下工作損耗隨頻率迅速增加，只能在直流或低頻工作。
5、頻率特性
隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。
電容器參數(shù)的基本公式
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